geheugencell

Een geheugencel is de basiseenheid van opslag in een geheugen en slaat één bit op, meestal 0 of 1. Geheugencellen worden in matrices gerangschikt en aangesproken via rij- en kolomlijnen; een geselecteerde rij activeert meerdere cellen die worden gelezen of geschreven via de bitlijnen. De exacte techniek waarmee een cel de bitwaarde behoudt, bepaalt snelheid, dichtheid en energieverbruik van het geheugen.

Een veelvoorkomende technologie is DRAM. Een DRAM-cel bestaat uit één transistor en één condensator. De condensator bewaart de lading die het bit vertegenwoordigt, maar lekt na verloop van tijd weg, waardoor de cel periodiek verfrist moet worden. DRAM biedt hoge dichtheid en lage kosten, maar verfrist vereist vernieuwing en versterking, wat het trager maakt dan sommige andere typen.

Een ander veelgebruikt type is SRAM. SRAM-cellen bestaan meestal uit meerdere transistors (vaak zes) die een cross-gekoppelde structuur vormen. SRAM is vluchtig geheugen en behoudt data zolang er stroom is, zonder verfrissing. Het biedt snelle toegang en lage latentie, maar neemt meer ruimte in op de chip en is duurder per bit dan DRAM.

Daarnaast bestaan non-volatile geheugencellen die data bewaren zonder voeding. Voorbeelden zijn flash-geheugen (vaak een floating-gate transistor) en technologieën zoals MRAM en RRAM. Deze cellen worden veel gebruikt in SSD's, USB-flashdrives en geheugenkaarten, en ze zorgen ervoor dat data behouden blijft bij spanningverlies.

Samengevat bepalen de constructie van de geheugencel en de manier waarop deze in een array wordt toegepast, de capaciteit, snelheid, energieverbruik en volatiliteit van het geheugen.