Tunnelresistentie
Tunnelresistentie is de elektrische weerstand die optreedt wanneer elektrische lading door een dun isolerende barrière kan tunnelen tussen twee geleiders. Dit kwantummechanische fenomeen, tunneling genoemd, komt voor bij metalen-insulatie-metaal (MIM) structuren of bij halfgeleidersystemen met dunne barrières. De tunnelresistentie wordt doorgaans bepaald uit de huidige-voltage (I-V) karakteristiek; omdat tunneling sterk afhankelijk is van de barrierhoogte en barrierdikte, is de weerstand niet constant en varieert deze met de toegepaste spanning en de temperatuur. Over het algemeen neemt de weerstand exponentieel toe met toename van barrierdikte en -hoogte en af met groter contactoppervlak, terwijl de tunnelingtransmissie toeneemt bij lagere barrières.
Modellen zoals het Simmons-model geven een semi-klassieke beschrijving van tunneling door een symmetrische barrière; ook de
Toepassingen: tunnelresistentie speelt een centrale rol in tunnel-diodes, in de scanning-tunneling-microscoop (STM) en in magnetische tunneling-junctions