Siliziumphotodetektoren
Siliziumphotodetektoren sind Halbleiterbauelemente, die Licht in elektrischen Strom umwandeln. Typisch basieren sie auf p-n- oder p-i-n-Junctionen, die bei angelegtem Reverse-Bias eine Sperrschicht bilden. In dieser Depletion-Region erzeugen Photonen Ladungstrennung und einen messbaren Photostrom.
Die spektrale Empfindlichkeit des Siliziums deckt sichtbares Licht bis in den nahen Infrarotbereich ab und reicht
Wichtige Charakteristika sind Responsivität (A/W), spektrale QE, Bandbreite und dunkler Strom. Schnelle Detektoren nutzen dünne oder
Vorteile der Siliziumdetektoren liegen in geringen Herstellungskosten, Robustheit, geringer Betriebstemperaturabhängigkeit und guter Integration in CMOS-Technik. Nachteile:
Typische Anwendungsgebiete sind Bildsensorik, Barcode-Scanner, optische Kommunikation im sichtbaren bis nahen IR-Bereich, Spektroskopie und medizinische Bildgebung;