Dotierungsniveau
Dotierungsniveau bezeichnet den Gehalt an Dotierstoffen in einem Halbleiter und gibt an, wie stark das Material durch Zugabe von Donatoren oder Akzeptoren dotiert ist. Die Dotierkonzentration wird üblicherweise als Nd (Donatoren) oder Na (Akzeptoren) angegeben und in Einheiten von Teilchen pro Kubikzentimeter (cm^-3) gemessen. Typische Werte reichen von etwa 10^12–10^14 cm^-3 bei sehr leichter Dotierung bis zu 10^18–10^20 cm^-3 bei stark dotierten, degnerierten Materialien. Unterschiede in der Dotierung beeinflussen die Trägerart und -dichte des Halbleiters wesentlich.
Es gibt n-Typ-Dotierung mit Donatoren, die zusätzliche Elektronen bereitstellen, und p-Typ-Dotierung mit Akzeptoren, die Löcher erhöhen.
Die Dotierung beeinflusst wesentliche Eigenschaften wie die Trägerkonzentration, Mobilität und das Verhalten von Grenzschichten in Bauelementen.
Herstellung und Profilierung erfolgen durch Diffusion, Ionenimplantation oder epitaktische Abscheidung. Dotierte Schichten können abrupt oder mit
Messungen von Dotierungsniveau erfolgen unter anderem mittels SIMS, Hall-Effekt-Messungen und Widerstandsprofilen. Die exakte Kontrolle des Dotierungsniveaus