PNÜbergänge
pn-Übergang (p-n-Übergang) bezeichnet die Grenzfläche zwischen einem p-dotierten und einem n-dotierten Bereich in einem Halbleiter. An dieser Grenzfläche bildet sich eine Verarmungszone, in der freie Träger durch Diffusion in die andere Seite wandern. Dadurch entsteht ein internes elektrisches Feld, das die Diffusion ausgleicht. Im thermischen Gleichgewicht entspricht das eingebautte Potenzial der Barriere, dem sogenannten built-in Potential V_bi.
Unter äußeren Spannungen verändert sich die Barriere: Forward bias reduziert die Barrierhöhe und erhöht den Stromfluss,
Die Verarmungsbreite W und damit die Grenzflächenkapazität C_j hängen vom Bias ab; pn-Übergänge zeigen typischerweise eine