Carrierconcentraties
Carrierconcentraties verwijzen in de halfgeleiderfysica naar het aantal vrij dragers van elektra per eenheid van volume. De twee belangrijkste soorten dragers zijn elektronen (n-dragers) en gaten (p-dragers). In intrinsieke halfgeleiders zijn n- en p-concentraties gelijk en noemen we ze Ni, de intrinsieke draagconcentratie. In dopede materialen kunnen deze verhoudingen sterk verschillen door het voorkomen van donoren of acceptoren.
Bij thermisch evenwicht en doping geldt de mass-action wet: de product van de elektronenconcentratie en de
De intrinsieke draagconcentratie Ni hangt sterk af van het materiaal en van de temperatuur; ni neemt toe
Meetmethoden omvatten onder meer de Hall-effectmeting voor individuele concentraties en mobiliteiten, en capactoravelling (CV) of profileringstechnieken