magnetoresistiva

La magnetoresistiva, o magnetorresistencia, es el conjunto de fenómenos por los que la resistencia eléctrica de un material cambia cuando se aplica un campo magnético externo. La magnitud de la variación se describe comúnmente mediante la magnetorresistencia, definida como MR = (R(H) - R(0)) / R(0) y medida en función de la intensidad del campo.

Entre los efectos destacados se encuentran la magnetorresistencia gigante (GMR), la magnetorresistencia colossal (CMR), la magnetorresistencia de túnel (TMR) y la magnetorresistencia anisotrópica (AMR). La GMR se observa en estructuras de capas ferromagnéticas y no magnéticas, y la resistencia cambia según si las magnetizaciones de las capas están alineadas o antiparalelas. La TMR aparece cuando dos capas ferromagnéticas están separadas por una barrera aislante y la probabilidad de túnel depende de la orientación de las magnetizaciones, con aplicaciones en memorias MRAM y sensores. La AMR es la variación de la resistencia según el ángulo entre la corriente y la magnetización dentro de un ferromagnético. La CMR se manifiesta en manganitos y puede producir reducciones grandes de la resistencia bajo campo, pero su uso práctico depende de la temperatura y la composición.

Aplicaciones y relevancia: los dispositivos magnetorresistivos se emplean en sensores de posición y velocidad, en la lectura de discos duros, en memorias MRAM y en sistemas automotrices de detección de campos. En investigación, la magnetorresistencia guía la spintrónica y el desarrollo de dispositivos basados en el control del espín.

Historia: la magnetoresistencia fue observada por primera vez a mediados del siglo XIX por Faraday. La GMR fue descrita en 1988 por Albert Fert y Peter Grünberg, lo que impulsó la tecnología de almacenamiento. En la década de 1990 se demostró la TMR, consolidando el campo de la spintrónica.