SRAMKonstruktionen
SRAMKonstruktionen bezeichnet die Schaltungs- und Layout-Ansätze zur Umsetzung von Speicherzellen im statischen RAM (SRAM). SRAM speichert Bits in bistabilen Zellen, die ohne regelmäßiges Refreshing funktionsfähig bleiben, im Gegensatz zu DRAM. Die gängigste Grundlage ist eine pair cross-koupled Inverter, die zwei stabile Zustände erzeugen, verbunden durch zwei Zugriffstransistoren zu den Bitlinien.
Die klassische 6T-SRAM-Zelle besteht aus zwei komplementären Inverter-Paaren, die über zwei NMOS-Zugriffstransistoren mit den Bitlinien BL
Um Stabilität, Dichte und Geschwindigkeit zu optimieren, wurden SRAM-Konstruktionen mit separaten Leseports entwickelt, wie 8T-, 9T-,
ANwendungen und Trends: In Cache- und Embedded-Memory-Umgebungen priorisieren Entwickler Stabilität, Geschwindigkeit und niedrige Verlustleistung häufig gegenüber