magnoresistentes

magnoresistentes son materiales que presentan un cambio notable en su conductividad eléctrica cuando un campo magnético externo es aplicado. Este fenómeno, conocido como magneto‑resistencia, se basa en la interacción entre la polarización de los electrones y el campo magnético, que altera la trayectoria de las cargas eléctricas y, por tanto, la resistencia eléctrica del material.

El efecto magneto‑resistivo fue descubierto a principios del siglo XX, pero su potencial tecnológico comenzó a evidenciarse con el desarrollo de los dispositivos de almacenamiento magnético. Los tipos más relevantes de magnetoresistencia son la magneto‑resistencia de granada (GMR), la magneto‑resistencia de túnel (TMR) y la magnetoresistencia colossal (CMR). La GMR, que surge en estructuras de láminas superpuestas de materiales ferromagnéticos y barreras no conductoras, permite leer bits en discos duros y cámaras de vídeo. La TMR, basada en la barrera de óxido entre dos electrodo ferromagneticos, se utiliza en memorias de acceso aleatorio (MRAM). La CMR, observada en óxidos perovskîticos, muestra una resistencia que cambia dos órdenes de magnitud y se estudia para sensores de campo magnético y dispositivos de conversión de energía.

En las últimas décadas, la investigación se ha centrado en la síntesis de nuevos entrelazamientos magnéticos, en la reducción de la energía necesaria para cambiar el estado magnetico y en la integración de estos materiales con circuitos semiconductores estándar. Las aplicaciones actuales de los magnoresistentes incluyen la industria de defensa, la medicina (resonancia magnética y sensores de posición), y gran parte del sector de la informática, donde la demanda continúa creciendo a medida que se busca mayor densidad de datos y menor consumo energético.