WideBandgapMaterialien
WideBandgapMaterialien (engl. wide bandgap materials, WBG) bezeichnen Halbleiter mit einer größeren Bandlücke als Silizium. Typische Schwellenwerte liegen oberhalb von etwa 2 eV; bekannte Vertreter sind Siliziumcarbid (SiC), Galliumnitride (GaN), Aluminiumnitrid (AlN), Galliumoxid (Ga2O3) und synthetischer Diamant. Die größere Bandlücke beeinflusst elektrische, thermische und optische Eigenschaften der Materialien.
Zu den charakteristischen Eigenschaften gehören höhere Durchbruchspannungen, größere Sperrschichttemperaturen, erhöhte Elektronen- bzw. Löchergeschwindigkeiten und oft bessere
WideBandgapMaterialien werden in Leistungshalbleitern (SiC-MOSFETs, GaN-HEMTs), in Hochfrequenzverstärkern für Mobilfunk und Radar, in LEDs und Laserdiode
Herausforderungen bleiben Materialqualität, Defektkontrolle, Verfügbarkeit großer Substrate, Herstellkosten und Zuverlässigkeit der Bauelementepakete. Aktuelle Forschung fokussiert auf