CVDprosessilla

CVDprosessilla, tai kemiallinen kaasufaasinen kerrostuminen (engl. *Chemical Vapor Deposition*), on pinnankäsittelymenetelmä, jolla valmistetaan ohuita pinnoitteita kiinteän pinnan päälle. Menetelmä perustuu kaasumaisiin reagensseihin, jotka reagoivat pinnalla ja muodostavat kiinteän kerroksen. CVD on laajalti käytetty mikroelektroniikassa, optiikassa, materiaalitieteessä ja korroosionkestävien pinnoitteiden valmistuksessa.

Prosessin periaate perustuu reagenssikaasujen hajottumiseen korkeassa lämpötilassa tai plasma-olosuhteissa. Reaktio tapahtuu pinnalla, jolloin muodostuu haluttu kerros, kuten hiilipitoisia materiaaleja (esimerkiksi hiilinanoputkia), metallioksideja tai nitridejä. Menetelmän etuna on mahdollisuus saada korkealaatuisia, tasaisia ja tiheitä pinnoitteita, jotka voivat olla vain muutamia nanometrejä paksuja.

CVDprosessilla voidaan valmistaa erilaisia materiaaleja, kuten silikonia, hiiltä, booria ja metallisia kerroksia. Menetelmä jaetaan useisiin alatyyppeihin, kuten *Low-Pressure CVD* (alipaineessa tapahtuva), *Plasma-Enhanced CVD* (plasmaa käyttäen) ja *Atomic Layer Deposition* (ALD), joka tarjoaa tarkemman kontrollin kerroksen paksuudesta. Menetelmän sovelluksia ovat muun muassa puolijohteiden valmistus, korroosionesto, lämmönkestoiset pinnoitteet ja erikoismateriaalien kehittäminen.

CVDprosessin edut sisältävät korkean pinnoitteen laadun, mahdollisuuden pinnoittaa monimutkaisia geometrioita ja soveltuvuuden erilaisiin materiaaleihin. Sen haasteita ovat korkeat lämpötilavaatimukset ja tarve huolelliseen prosessin optimointiin. Menetelmä on tärkeä monilla teknologian aloilla, ja sen kehitys jatkuu uusien materiaalien ja sovellusten parissa.