CMOSintegrerte

CMOSintegrerte refererer til integrerte kretser som bruker CMOS-teknologi, en forkortelse for complementary metal-oxide-semiconductor. CMOS-kretser utnytter et par mot-koblede MOSFET-er, en n-type og en p-type, som ligger på samme halvledersubstrat. Denne teknologien er standard for digital logikk, minne og mange analoge applikasjoner.

Grunnprinsippet i CMOS-logikk er at pull-up-nettverket (pMOS) og pull-down-nettverket (nMOS) ikke leder strøm samtidig i hviletilstand. Dette gir svært lavt statisk strømforbruk, samtidig som nettverkene gir høy støymargin og god tetthet. Under overgang mellom logiske tilstander oppstår kortvarige strømmer, men total energibruk i hvile er lav. CMOS gjør det mulig å integrere millioner til milliarder av transistorer på en enkel silisiumskive.

Historie og produksjon: CMOS-konseptet ble utviklet på 1960- og 1970-tallet og ble raskt dominerende i industrien. Produksjonen skjer med planar-prosesser der oksidlag, dopede områder og litografi definerer n MOS- og p MOS-transistorer. Over tid har teknologien blitt krympet gjennom teknikker som finfET og andregenerasjons materialer for å forbedre hastighet og redusere leakage.

Fordeler og utfordringer: CMOS gir høy enhets tetthet, lavt energiforbruk i hvile og bred anvendbarhet i digitale og blandede signaler. Utfordringer inkluderer leakage ved lave spenninger, behov for avanserte materialer og strukturer for videre nedskalering, samt varmehåndtering. Nya teknologier som FinFET og høy-k dielektrika har blitt utviklet for å møte disse kravene.

Bruksområder: i dag er CMOS dominerende i moderne elektronikk, inkludert mikroprosessorer, minne, system-on-chip-løsninger og mange sensor- og forbrukerenheter. Det////////////////////////////////////