Fototransistorbaserade

Fototransistorbaserade sensorer är elektronik där fototransistoren används för att omvandla ljus till en elektrisk signal och ofta förstärka den inkommande signalen. En fototransistor är en transistor där basströmmen genereras av ljus som träffar en ljuskänslig basregion. Vanliga utföranden är NPN och PNP, och de används i olika konfigurationer som common emitter eller common collector.

Funktionellt bygger fototransistorbaserade system på att fotoner som träffar basen skapar elektron-hål-par som reglerar kollektorströmmen.Ljuset styr en ström som i sin tur amplifieras av transistoren, vilket gör att utgångssignalen är ungefär proportionell mot ljusintensiteten. Det finns olika driftslägen: fotokonduktivt läge med omvänd bias mellan kollektore och emitter ger ofta snabbare svar och bättre känslighet, medan fotovoltaiskt läge utan extern spänningskälla ger en mindre men direkt ljuskänslig ström.

Egenskaper och tekniska faktorer som används för att beskriva fototransistorbaserade sensorer inkluderar responsivitet (A/W), bandbredd/hastighet, spektral respons beroende på material (t.ex. kisel eller galli-n), samt mörkström och temperaturkänslighet. Dessa faktorer påverkar lämplighet för olika applikationer och kräver ofta kompensation i mät- eller förstärkningskretsar.

Användningsområden inkluderar optisk kommunikation, fjärrkontroller, närhet och rörelsesensorer samt olika industriella och laboratorieinstrument. Trots hög avkastning och enkel drift används de ibland mindre i högfrekventa applikationer där fotodioder eller andra sensorer ger bättre hastighet och linjäritet. Fototransistorbaserade lösningar är därför vanliga där enkelhet, låg spänning och måttlig bandbredd räcker.