Depletiontyyppi

Depletiontyyppi (engl. depletion-type) on puolijohde-elektroniikassa käytetty termi transistoriluokasta, jonka kanava on normaalisti johtava ilman gate-jännitettä. Gate-jännitteen avulla kanavaa voidaan depletoida, jolloin sen johtavuus heikkenee ja lopulta virta voidaan saada lähes kokonaan katkeamaan. Tämä eroaa enhancement-tyypeistä, joissa kanava syntyy vasta, kun gate-jännite ylittää tietyn kynnysarvon.

Yleisimmässä esimerkissä on depletion-mode JFET (junction gate FET). N-kanavainen depletion-JFET on normaalisti johtava Vgs=0-tilassa; negatiivinen Vgs laajentaa depletion-aluetta ja supistaa Id:tä, kunnes device voidaan pitää off-tilassa. P-kanavainen versio vaatii päinvastaista jännitteensektoria. Gate muodostaa kontrollin PN-jännitteen kautta.

Depletion-tyypin transistorielementtejä ovat myös depletion-MOSFETit, joita on olemassa, mutta ne ovat harvinaisempia nykyisessä teknologiarakenteessa. Eniten käytössä ovat enhancement-tyypin MOSFETit, ja depletion-tyypin laitteet löydetään lähinnä joissakin erityisissä sovelluksissa sekä vanhemmissa teknologioissa (esim. GaAs-pohjaiset MESFET-tyypit).

Käyttökohteet ja ominaisuudet. Depletion-tyyppiset laitteet voivat toimia valmiiksi johtavina elementteinä tai käytännön osana, jossa halutaan yksinkertainen ohjaus tai tietyntyyppinen lineaarinen käyttäytyminen ilman, että kanava tarvitsee rakentaa uudelleen gate-jännitteellä. Niiden off-tila on saavutettavissa gate-jännitettä kääntämällä, mutta suurimmat erot verrattuna nykyisiin tekniikoihin liittyvät valmistuksen yksinkertaisuuteen ja suunnittelun tarpeisiin. Tästä syystä depletion-tyypit ovat lähinnä hallinnoituja valintoja tietyissä vanhemmissa tai erikoisteknologioissa.