Antibondingtiloja

Antibondingtilat ovat molekyylin molekyyliorbitaaleja, joiden energia on korkeampi kuin vastaavien bonding-tilojen energia. Ne syntyvät, kun atomien orbitalit yhdistyvät vastakkaisessa vaiheessa (out of phase), jolloin kahden ydinvälisen alueen kohdalla on noden. Tämän seurauksena elektronitiheys painottuu suurimmaksi osaksi ydinvälien ulkopuolelle, eikä näin ollen tue sidosrakennetta. Antibondingtilat merkitään tähdellä, kuten σ* ja π*, ja ne esiintyvät MO-diagrammeissa erityisesti diatomisissa molekyyleissä.

Antibondingtiloilla on korkeampi energia, mikä johtuu osittain elektronien aiheuttamasta repulsioista ja siitä, ettei niiden elektronit stabiloi kahden atomin välistä sidosaluetta. Sidosarvo (BO) määräytyy MO-teorian mukaan: BO = (nsid bonding − nsid antibonding) / 2. Antibonding-tilojen täyttyminen vähentää sidosarvoa; tyhjät antibonding-tilat eivät vaikuta sidosarvoon. Tämä ilmiö selittää osaltaan, miksi joidenkin molekyylien sidos on heikompi kuin pelkkiä bonding-tiloja tarkastelemalla voisi odottaa.

Esimerkkejä: H2:ssa antibonding σ*1s on tyhjä, jolloin sidos on vahva. O2- ja F2-molekyyleissä antibonding π*-tilat ovat osittain täynnä, mikä alentaa sidosarvoa verrattuna pelkkiin bonding-tiloihin. AntibondingtilojenOccupaatio vaikuttaa myös molekyylin reaktiivisuuteen ja sen käyttäytymiseen valon, sekä sähköisten excitation-prosessien seurauksena. Antibondingtiloja tarkastellaan keskeisenä osana molekyylien elektronista rakennetta MO-teorian kontekstissa.