utarmningslägesMOSFETs

En utarmningslägesMOSFET, även känd som normally-on MOSFET, är en typ av metalloxidhalvledarfälttransistor (MOSFET) som är ledande även när grindspänningen (Vgs) är noll. Till skillnad från anslutningslägesMOSFETs (normally-off), som kräver en positiv grindspänning för att slås på, är utarmningslägesMOSFETs normalt ledande och kräver en negativ grindspänning för att stängas av.

Denna egenskap uppnås genom konstruktion. I en n-kanals utarmningslägesMOSFET finns det ett naturligt ledande kanalskikt av n-typ mellan källan och dräneringen redan innan en grindspänning appliceras. När en negativ spänning appliceras på grinden, repellerar den fria elektroner bort från gränsytan mellan grinden och kanalen, vilket minskar kanalens bredd och därmed dess konduktivitet. Om den negativa spänningen är tillräckligt stor, kallas utarmningsspänning (Vp), blir kanalen helt utarmad och transistorn stängs av.

För en p-kanals utarmningslägesMOSFET är principen omvänd. Den är normalt ledande med noll grindspänning och kräver en positiv grindspänning för att stängas av.

UtarmningslägesMOSFETs används i applikationer där en normalt sluten strömbrytare inte är önskvärd eller där enkelheten att ha en ledande transistor vid noll grindspänning är fördelaktig. Exempel inkluderar vissa typer av strömförsörjningskretsar, nivåomvandlare och som komponenter i mer komplexa integrerade kretsar. De kan också användas som lasttransistorer för att dra ström från en positiv matningsspänning när ingen annan aktivitet krävs.