sputterointiprosessilla
Sputterointiprosessilla tarkoitetaan fysikaalisen haihdutuksen muotoa, jossa kohdemateriaalin atomeita irrotetaan plasman ionien törmäyksessä ja siirtyvät substraattiin muodostaen ohutkalvon. Prosessi tapahtuu tyhjiötilassa, jossa inertti gaasi, yleisimmin argon, ionisoidaan plasmaksi. Kohdemateriaalin atomit irtoavat ja kulkeutuvat substraattiin, missä ne kondensoituvat muodostamaan kalvon.
Sputterointia voidaan toteuttaa eri tavoilla. DC-sputteringia käytetään johtavien kohteiden kanssa, kun taas RF-sputteringia käytetään epäjohtavien kohteiden
Prosessin parametrit, kuten paine, virta/power, gaasuseokset, substraatin lämpötila ja liike, vaikuttavat kalvon tiheyteen, koostumukseen ja adhesioon.
Sputterointia käytetään laajalti mikropiirien, optisten pinnoitteiden, kovapinnoitteiden ja magneettikalvojen valmistuksessa. Materiaalit voivat olla metalleja, oksideja, nitridejä