puolijohdekiteitä

Puolijohdekiteitä ovat kiteisiä kiinteitä aineita, joiden sähkönjohtavuus on puolijohdeaineiden ominainen. Tämä tarkoittaa, että niiden johtavuus on suurempi kuin eristeillä, mutta pienempi kuin metalleilla. Puolijohdekiteiden keskeinen ominaisuus on niiden elektronirakenne, jossa esiintyy aukkoja tai vapaasti liikkuvia elektroneja, jotka mahdollistavat sähkön kuljetuksen.

Yleisimpiä puolijohdekiteitä ovat alkuaineet, kuten pii (Si) ja germanium (Ge). Lisäksi tunnetaan yhdistepuolijohteita, kuten galliumarsenidi (GaAs) ja indiumfosfidi (InP). Puolijohdekiteiden valmistuksessa käytetään usein korkealuokkaista ja erittäin puhdasta materiaalia, joka kasvatetaan valvotuissa olosuhteissa, esimerkiksi Czochralski-prosessilla. Tällöin muodostuu suuria, yksikiteisiä tangoja, joista leikataan ohuita kiekkoja eli waferia.

Puolijohdekiteiden ominaisuuksia voidaan muokata lisäämällä tarkoituksella epäpuhtauksia, prosessia kutsutaan dopingiksi. Dopingilla lisätään kiteeseen joko ylimääräisiä elektroneja (n-tyyppi) tai aukkoja (p-tyyppi), mikä vaikuttaa merkittävästi sen sähkönjohtavuuteen ja reaktiivisuuteen sähkökentässä. Näitä ominaisuuksia hyödynnetään laajasti elektroniikkateollisuudessa erilaisten komponenttien, kuten diodien, transistorien ja integroitujen piirien valmistuksessa. Puolijohdekiteet muodostavat modernin elektroniikan perustan.