kenttäefektitransistorivahvistimet

Kenttäefektitransistorivahvistimet, usein lyhennetty FET-vahvistimiksi, ovat elektronisia vahvistimia, jotka käyttävät kenttäefektitransistoreita (FET) signaalin vahvistamiseen. FET:t ovat puolijohdekomponentteja, jotka ohjaavat virtaa yhden sähkökentän avulla. Tässä vahvistintyypissä ulostulovirta on riippuvainen tulojänniteestä, mutta toisin kuin bipolaaritransistorivahvistimissa, FET-vahvistimien tulosähkövirta on erittäin pieni. Tämä johtuu FET:n korkeasta tuloimpedanssista.

FET-vahvistimia käytetään monissa sovelluksissa, joissa korkea tuloimpedanssi on tärkeää. Tällaisia sovelluksia ovat esimerkiksi mikrofonien esivahvistimet, instrumenttivahvistimet ja erilaiset mittauslaitteet. FET:n avulla voidaan rakentaa vahvistimia, jotka eivät kuormita merkittävästi signaalilähdettä. Tämä on hyödyllistä silloin, kun signaalilähde on heikko tai sillä on korkea sisäinen impedanssi.

Yleisimpiä FET-tyyppejä, joita käytetään vahvistimissa, ovat MOSFETit (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) ja JFET:t (Junction Field-Effect Transistor). MOSFET-transistoreilla on tyypillisesti vieläkin korkeampi tuloimpedanssi kuin JFET:illä, ja ne ovatkin yleisempiä digitaalisissa piireissä ja monissa analogisissa vahvistinkokoonpanoissa. FET-vahvistimien suunnittelussa voidaan hyödyntää erilaisia piirikytkentöjä, kuten yhteistä lähdettä (common source), yhteistä hilaa (common gate) ja yhteistä valumista (common drain) riippuen halutusta vahvistuksesta, impedanssista ja kaistanleveydestä. Niiden vähäinen sähkönkulutus tekee niistä myös suosittuja kannettavissa laitteissa.