FinFETtransistoreissa

FinFET-transistorit ovat kolmannen sukupolven MOSFET (metallioksidi-polukitohalvaja) -transistoreiden muunnos, joka parantaa suorituskykyä ja tehoa pienentämällä transistoreiden kokoa ja parantamalla niiden hallintaa. Termi "FinFET" tulee sanoista *fin*-muotoinen (suom. *suomukko*) ja *FET* (Field-Effect Transistor), koska transistorin kanava ulottuu pystysuoraan puolijohteessa olevalta "suomukolta". Tämä rakenne mahdollistaa paremman virran hallinnan ja pienemmän virran vuodon verrattuna perinteisiin planeettari- tai tri-gate-transistoreihin.

FinFET-teknologiaa kehitettiin 2000-luvun alussa, ja se tuli laajalti käyttöön 2010-luvun puolivälin jälkeen, kun puolijohdeteollisuus siirtyi 22 nanometrin prosessiteknologioihin. Suurin etu FinFET-transistoreissa on niiden kyky hillitä kanavan virtaa paremmin, mikä vähentää virrankulutusta ja parantaa suorituskykyä. Tämä saavutetaan sijoittamalla gate-elektrodit transistorin molemmin puolin, mikä luo "surrounding gate" -rakenteen. Tämän ansiosta transistori pystyy toimimaan tehokkaammin pienemmällä jännitteellä, mikä on tärkeää matalajännitteisissä sovelluksissa, kuten älypuhelimissa ja tableteissa.

FinFET-teknologiaa käyttävät suurimmat puolijohdevalmistajat, kuten Intel, TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) ja Samsung, joiden 10 nanometrin ja pienempien prosessien valmistuksessa se on olennainen osa. FinFETien kehitys on avannut tien pienempiin ja tehokkaampiin piirisirkuille, mikä on edistänyt mobiililaitteiden ja suorituskykyisten tietokoneiden kehitystä. Nykyään tutkitaan myös uusia muunnoksia, kuten GAAFET (Gate-All-Around FET), joka jatkaa FinFET-idean kehittämistä entisestään.