BJTbaserte

BJTbaserte er en betegnelse for elektroniske kretser og systemer som primært bruker bipolare junction-transistorer (BJT) som aktive komponenter for å styre og forsterke elektriske signaler. Slike kretser har tradisjonelt vært grunnleggende i analoge forsterkere, brytere og mange kraftapplikasjoner, og de finnes i alt fra forbrukerelektronikk til industriinstallasjoner.

En BJT består av emitter, base og collector, og har to PN-junctioner. Drift oppnås ved å tilføre base-strøm, som styrer kollektor-strømmen og gir høy forsterkning. Transistorens forhold mellom kollektor- og base-strøm kalles forsterkning β. Modeller som Ebers-Moll brukes i teoretiske analyser og i simulering av dynamisk oppførsel.

Drede konfigurasjoner er felles emitter (CE), felles base (FB) og felles collector (FC). CE-konfigurasjonen er vanlig i forsterkere og omkoblere og gir høy forsterkning med inversion; FB brukes der som preforsterker eller som passiv komponent i lavfrekvent lydkrets, mens FC fungerer som strøm- og spenningsfølger eller som del av RF-kretser. Hver konfigurasjon har karakteristisk gain og impedans.

Bruksområder: BJT-basert teknologi brukes i lyd- og effektforsterkere, radiomottakere, brytere og regulatoriske kretser, samt i analoge og spesialiserte digitale applikasjoner. De kan også være gunstige i kretsløp som krever rask bryting eller spesiallinær respons.

Fordeler og begrensninger: BJTs har god transkonduktans og høy strømforsterkning, og de kan være gunstige i visse lineære applikasjoner. Begrensninger inkluderer temperaturavhengig Vbe og bias-kriterier, større fysisk størrelse i enkelte implementasjoner og ofte høyere energiforbruk sammenlignet med MOSFET-baserte løsninger i moderne integrerte kretser. Til tross for MOSFET-dominans i nyere teknologi, brukes BJT-basert design fortsatt der det gir ønsket ytelse eller spesialiserte egenskaper.