puolijohdeyhdistelmät

Puolijohdeyhdistelmät, suomeksi yhdistelmäpuolijohteet, ovat materiaaleja, jotka koostuvat kahdesta tai useammasta alkuaineesta ja joilla on puolijohtavia ominaisuuksia. Näitä materiaaleja käytetään laajalti elektroniikassa, erityisesti puolijohdekomponenttien, kuten diodien, transistorien ja integroitujen piirien valmistuksessa. Puolijohdeyhdistelmien etuna verrattuna yksittäisiin alkuainepuolijohteisiin, kuten piiin ja germaniumiin, on niiden kyky tarjota laajemmat säätömahdollisuudet sähköisiin ja optisiin ominaisuuksiin.

Yleisiä puolijohdeyhdistelmiä ovat yhdisteet, jotka muodostuvat ryhmän II, III, IV tai VI alkuaineista jaksollisessa järjestelmässä. Esimerkiksi galliumarsenidi (GaAs) on yksi tunnetuimmista yhdistelmäpuolijohteista, jota käytetään suurtaajuussovelluksissa ja optoelektroniikassa. Indiumfosfidi (InP) ja galliumnitridi (GaN) ovat muita esimerkkejä, joita käytetään korkeatehoisissa laitteissa ja sinisissä LEDeissä. Kadmiumtelluridi (CdTe) on puolestaan tärkeä materiaali aurinkokennojen valmistuksessa.

Puolijohdeyhdistelmien valmistus on usein monimutkaisempaa kuin yksittäisten alkuainepuolijohteiden. Tarkan koostumuksen ja rakenteen hallinta on kriittistä haluttujen ominaisuuksien saavuttamiseksi. Näiden materiaalien tutkimus ja kehitys jatkuvat aktiivisesti, sillä ne avaavat mahdollisuuksia entistä tehokkaammille ja monipuolisemmille elektronisille laitteille.