etsprocesser

Etsprocesser är en samling tekniker som avlägsnar material från en yta genom kemisk reaktion, fysikaliska processer eller en kombination av båda. De används inom produktion och bearbetning där mönster eller skapa klarade strukturer genom att ta bort oönskat material.

Huvudkategorierna är våt etsning och torr etsning. Våt etsning innebär kemisk upplösning av materialen i en vätska, ofta med specifika etchants som väljs ut utifrån ämnets kemi och önskad hastighet. Torr etsning sker utan vätska och innefattar plasma- eller jonbaserade metoder som avdunstar eller avmärker material via energiimpulser. Inom båda grupperna kan processen vara isotrop eller anisotrop, beroende på materialets struktur och processförhållanden. Maskering används för att skydda delar av ytan som inte ska etsas, vanligtvis i form av fotomasker eller resistensfilmer.

Våt etsning används ofta vid PCB-tillverkning, metallbearbetning och vissa mikrostrukturer där bred avlägsning krävs. Vanliga etchants inkluderar ferric chloride för koppar och ammoniumpersulfat, vilka möjliggör snabb men kontrollerad borttagning. Torr etsning används i halvledarindustrin för att forma och isolera strukturer i silicum, kiseloxid och andra material, exempelvis genom plasma etching eller RIE (reactive ion etching) samt DRIE för djupa strukturer.

Etsprocesser kännetecknas av parametrar som etch rate, selektivitet, anisotropi och undercut. Val av skyddslager, temperatur och gaser avgör resultatet. Säkerhet och miljö hänsyn tas genom korrekt hantering av kemikalier, avfallshantering och ventilation.

Användningsområden inkluderar tillverkning av kretskort, mikro- och nanofabrikation samt konstnärlig etsning av metaller.