Mikroaaltotransistorit

Mikroaaltotransistorit ovat puolijohdekomponentteja, jotka on suunniteltu toimimaan radiotaajuuksilla ja mikroaaltoalueilla, tyypillisesti taajuuksilla yhdestä gigahertsistä satoihin gigahertseihin. Niitä käytetään yleisesti vahvistimissa, oskillaattoreissa ja kytkimissä langattomissa viestintäjärjestelmissä, tutkassa ja muissa korkeataajuisissa sovelluksissa. Näiden transistorien suorituskyky riippuu olennaisesti niiden rakenteesta ja käytetyistä materiaaleista, jotka mahdollistavat nopean elektronien kulun ja minimoivat häviöitä korkeilla taajuuksilla.

Yleisimpiä mikroaaltotransistorien tyyppejä ovat MESFETit (Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors), HEMIT (High Electron Mobility Transistors) ja bipolaaritransistorit (BJT), kuten HBT (Heterojunction Bipolar Transistors). MESFETit hyödyntävät metalli-puolijohde-liitosta ohjaamaan virtaa, kun taas HEMIt käyttävät kahta eri puolijohdemateriaalia muodostaakseen korkean elektroniliikkuvuuden kanavan. HBT:t puolestaan tarjoavat nopean kytkentäajan ja hyvän vahvistuksen korkeilla taajuuksilla. Materiaaleina käytetään usein galliumarsenidia (GaAs), indiumfosfidia (InP) ja piitä (Si) sekä niiden yhdistelmiä, kuten piin-germaniumia (SiGe), jotka tarjoavat parempia korkeataajuisia ominaisuuksia kuin perinteinen pii.

Mikroaaltotransistorien kehityksessä keskeistä on ollut pienentää transistorien fyysisiä mittoja ja parantaa materiaalien ominaisuuksia, jotta toimintataajuutta voidaan nostaa ja kohinaa vähentää. Tämä mahdollistaa entistä nopeampien ja tehokkaampien elektronisten laitteiden valmistamisen.