MOSFETtransistoreiden

MOSFETtransistoreiden, eli Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistorien, ovat yleisimpiä puolijohdekomponentteja, joita käytetään elektroniikassa. Ne ovat eräänlaisia kenttäefektitransistoreita, joiden toiminta perustuu sähkökentän avulla ohjattuun varauksenkuljettajien liikkeeseen. MOSFETin rakenne koostuu tyypillisesti neljästä liittimestä: hila (gate), lähde (source), nielu (drain) ja runko (body). Hila on eristetty puolijohdekanavasta ohuella oksidikerroksella, yleensä piidioksidilla.

MOSFETeja on kahta päätyyppiä: n-tyypin (nMOS) ja p-tyypin (pMOS). nMOS-transistorissa kanava koostuu elektroneista, kun taas pMOS-transistorissa kanava muodostuu aukoista. Lisäksi MOSFETit jaetaan vahvistus- (enhancement) ja tyhjennystyyppeihin (depletion). Vahvistustyyppisessä transistorissa kanava muodostuu vasta kun hilaan syötetään riittävä jännite, kun taas tyhjennystyyppisessä transistorissa kanava on olemassa jo ilman hila-jännitettä, ja hila-jännite voi vähentää tai poistaa sen.

MOSFETien keskeinen ominaisuus on niiden korkea tuloimpedanssi hila-liittimessä, mikä tarkoittaa, että hilaan kulutettava virta on erittäin pieni. Tämä tekee niistä tehokkaita kytkimiä ja vahvistimia. Niitä käytetään laajalti digitaalisissa piireissä, kuten prosessoreissa ja muistipiireissä, sekä analogisissa sovelluksissa. Niiden valmistuksen helppous ja skaalautuvuus ovat johtaneet niiden dominoivaan asemaan elektroniikkateollisuudessa.