CVDteknologioita

CVD-teknologioita (kemiaalinen kaasufaasikasvu) viittaa menetelmiin, joilla valmistetaan ohuita pinnoitteita tai kerroksia kaasufaasissa kemiallisten reaktioiden avulla. Tekniikka perustuu siihen, että reagoivat kaasut tai höyryt hajoavat pinnalla, jolloin muodostuu haluttu materiaali. CVD on laaja-alainen tekniikka, jota käytetään monilla aloilla, kuten mikroelektroniikassa, optiikassa, energiateknologiassa ja biomateriaalien kehityksessä.

Menetelmän periaate perustuu kaasumaisen edeltäjän (esimerkiksi silaanin tai metalliorgaanisten yhdisteiden) hajoamiseen korkeassa lämpötilassa tai plasma-aktivointia käyttäen. Hajoamistuotteet laskeutuvat substraatin pinnalle muodostaen kiinteän kerroksen. CVD-menetelmät jaetaan pääasiassa kahteen päätyyppiin: lämpö-CVD ja plasma-CVD. Lämpö-CVD vaatii korkeita lämpötiloja, kun taas plasma-CVD käyttää sähkömagneettista induktiota tai radioaaltogeneroimaa plasmaa reaktion käynnistämiseen matalammissa lämpötiloissa.

CVD-teknologian etuna on sen kyky tuottaa korkealaatuisia, tiheitä ja tasaisia kerroksia suuriin pintoihin. Menetelmä mahdollistaa myös monenlaisien materiaalien, kuten hiilipitoisten kerrosten, metallien, dielektristen aineiden ja superjohtavien materiaalien, valmistamisen. Käyttöalueita ovat esimerkiksi puolijohteiden pinnoitteet, korroosionkestävät päällysteet, optiset peilit ja eristyskerrokset.

Teknologian haasteita ovat korkeat investointikustannukset ja vaativat prosessit, jotka edellyttävät tarkkaa kontrollia reaktio-olosuhteista. CVD on kuitenkin tärkeä osa nykyaikaisen materiaalitekniikan kehitystä ja sitä kehitetään jatkuvasti paremmaksi ja tehokkaammaksi.