minneteknologi

Minneteknologi er feltet som omfatter teknologier og materialer som lagrer digital informasjon i elektroniske enheter. Det inkluderer alt fra midlertidig lagring i datamaskinens hovedminne til varig lagring i flash-basert lagring og ROM, og dekker både tradisjonelle semikonduktorminner og nyere ikke-volatile minneteknologier.

Volatile minne mister data ved strømbrudd. Den dominerende typen volatile minne i dag er DRAM (dynamic random access memory), som gir høy tetthet og rimelig kostnad per bit, men krever konstant refreshering. SRAM (static RAM) brukes som rask cacheminne, men er dyrere og har lavere tetthet.

Ikke-volatil minne beholder data uten strøm. Flash-minne, spesielt NAND-flash, brukes i SSD-er, USB-minnepinner og mange innebygde systemer. NOR-flash gir raskere direkte tilgang og brukes der hvor programkode må leses raskt. Nye ikke-volatike minneteknologier som MRAM (magnetoresistiv RAM), ReRAM (resistive RAM), PCM (phase-change memory) og FRAM (ferroelectric RAM) utvikles for å kombinere lavere energi, høyere utholdenhet og bedre tetthet. 3D XPoint/Intel Optane ble markedsført som storage-class memory og søker å redusere latensgapet mellom DRAM og NAND.

Historisk utvikling: core memory ble brukt på midten av 1900-tallet, men ble erstattet av DRAM og SRAM fra 1970-tallet og framover. Flashminne ble kommersielt tilgjengelig i 1990-årene og er i dag sentralt i bærbare enheter og SSD-er. Forskning på MRAM, ReRAM og PCM pågår for å tilby ikke-volatil minne med høy hastighet og god utholdenhet.

Minneteknologi former minnehierarki, cache-strukturer og lagringsløsninger i datamaskiner og datasentre, og er viktig for energieffektivitet og ytelse. Fremtidige systemer kan integrere flere typer minne for å oppnå raskere tilgang og vedvarende lagring.