fotodiodityypit

Fotodiodityypit viittaavat erilaisiin puolijohdekomponentteihin, jotka muuntavat valoenergiaa sähköenergiaksi. Valon osuessa fotodiodin puolijohdemateriaaliin se synnyttää elektroni-aukko-pareja. Nämä varauksenkuljettajat erotetaan ja kerätään, mikä johtaa sähkövirtaan tai jännitteen muutokseen. Fotodiodityypit voidaan luokitella useiden tekijöiden perusteella, kuten niiden rakenteen, materiaalin ja toimintaperiaatteen mukaan.

Yleisimpiä tyyppejä ovat PN-liitosfotodiodit, PIN-fotodiodit ja lavalansefotodiodit. PN-liitosfotodiodit ovat yksinkertaisimpia, koostuen P-tyypin ja N-tyypin puolijohteiden liitoksesta. PIN-fotodiodit sisältävät ylimääräisen, heikosti seostetun "Intrinsic"-kerroksen PN-liitoksen ja ulkoisten liitosten välissä. Tämä lisäkerros parantaa vasteaikaa ja herkkyyttä, erityisesti korkeammilla taajuuksilla. Lavalansefotodiodit, eli APD:t, hyödyntävät sisäistä vahvistusta. Kun fotoni synnyttää varauksenkuljettajan, se kiihdytetään korkeaan energiaan, mikä aiheuttaa ketjureaktion ja synnyttää enemmän varauksenkuljettajia. Tämä mahdollistaa huomattavasti suuremman herkkyyden heikolle valolle verrattuna PN- tai PIN-fotodiodeihin.

Valittava fotodiodityyppi riippuu sovelluksen vaatimuksista, kuten tarvittavasta herkkyydestä, vasteajasta, spektrin herkkyydestä ja käyttöympäristöstä. Valikoima kattaa sovelluksia valonmittauksesta ja optisesta tiedonsiirrosta aina lääketieteellisiin laitteisiin ja turvajärjestelmiin.