PINfotodiodit

PINfotodiodit ovat puolijohdekomponentteja, jotka muuttavat valon sähköiseksi signaaliksi. Ne koostuvat N-tyypin puolijohteesta, eristekerroksesta (tyypillisesti intrinsistä materiaalia) ja P-tyypin puolijohteesta. Tämä P-I-N rakenne muodostaa fotodiodin ytimen.

Kun fotoni osuu diodin P-I-N -rakenteeseen, erityisesti intrinsiseen kerrokseen, se voi virittää elektronin valenssivyöltä johtavuusvyölle. Tämä luo elektronin ja aukon parin. Näiden varauksenkuljettajien erottamiseen käytetään diodin päälle kytkettyä jännitettä, joka luo sähkökentän. Varauksenkuljettajat liikkuvat sähkökentän vaikutuksesta kohti vastakkaisia elektrodeja, mikä synnyttää mitattavan sähkövirran. Virran suuruus on suoraan verrannollinen siihen osuvan valon intensiteettiin.

PINfotodiodien etuna on niiden laaja dynaaminen alue ja nopea vasteaika verrattuna perinteisiin PN-fotodiodeihin. Intrinsinen kerros vähentää kapasitanssia ja mahdollistaa tehokkaamman varauksenkuljettajien erottumisen, mikä parantaa suorituskykyä nopeissa sovelluksissa. Niitä käytetään laajalti optisessa viestinnässä, valonmittauksessa, kuvantamislaitteissa ja antureissa, joissa vaaditaan tarkkaa ja nopeaa valontunnistusta.