epitaksiaalinen
Epitaksiaalinen (epitaxial) tarkoittaa tilaa, jossa kerroksen kristallirakenne kasvaa alustan kristallisen rakenteen mukaisesti niin, että uuden kerroksen suuntautuminen seuraa tarkasti alustan hila-atomien asentoa. Epitaksiaalisen kerroksen laadulla on suuri vaikutus laitteiden sähköisiin ja optisiin ominaisuuksiin, sillä epäjärjestyksen ja vikojen määrä kasvussa vaikuttavat kerroksen elektroni- ja liikkuvuusominaisuuksiin.
Epitaksia jaetaan yleensä homoepitaksiaan ja heteroepitaksiaan. Homoepitaksia tarkoittaa tilannetta, jossa kasvava kerros on saman aineen kuin
Kasvatusmenetelmät sisältävät muun muassa molekyylitasoisen yieldsin epitaksian (MBE), kemiallisen höyrynjohdon (CVD) ja orgaanisen metallin kemiallisen höyrynjohdon
Käyttövaatimukset ja laatuvaatimukset huomioiden epitaksiaalinen kasvatus mahdollistaa kontrolloidun kerroksen paksuuden, koostumuksen ja dopauksen, jolloin muodostuu laadukkaita