NANDmuisteissa

NAND-muisteissa (NAND flash) data tallennetaan epävolatiliseen muistitekniikkaan perustuvien muistisolujen ryhmiin, jotka muodostavat lohkoja ja sivuja. Jokainen lohko voidaan erikseen tyhjentää, mutta kirjoitus tapahtuu sivuittain; poistaminen eli tyhjentäminen tehdään lohkoittain. Tämä rakenne mahdollistaa suurten tallennuskapasiteettien saavuttamisen pienessä tilassa ja alhaisemmat kustannukset verrattuna muihin muistikykyihin, mutta satunnaiskäyttö voi olla hitaampaa ja kirjoitus- sekä poistoprosessit vaativat hallintaa.

Typillisesti NAND-muisteissa on sekä planar (2D) että 3D NAND -versioita. 3D NAND rakentuu useista pystysuorista muistikerroksista, mikä parantaa tiheyttä ja kestävyyttä. Tallennuskapasiteettia kuvaavat bitin tallennustapa soluissa: SLC (1 bitti per solu), MLC (2 bittiä per solu), TLC (3 bittiä per solu) ja QLC (4 bittiä per solu). SLC tarjoaa korkeimman kestävyyden ja suorituskyvyn, mutta alhaisemman kapasiteetin ja korkeammat kustannukset; 3D-NANDin kiehtovuus on mahdollisuus kohottaa sekä kestävyyttä että tiheyttä suuremmilla kappaleilla.

Käytännössä NAND-muistit vaativat ohjaimen hallitsemaan wear levelingia, roskakorin keräämistä (garbage collection) ja virheenkorjausta sekä vikojen havaitsemista ja korjausta varten. ECC-koodi (kuten BCH tai LDPC) havaitsee ja korjaa virheitä, mikä on välttämätöntä ylimääräisten bittivirheiden vuoksi. Datan säilyvyys ja luotettavuus riippuvat sekä käytetystä teknisestä tyypistä että käyttöolosuhteista.

NAND-muisteja käytetään laajasti massamuistina: SSD-levyissä, USB-tikkuissa ja muistikorteissa sekä muissa pienikokoisissa ja suurikapasiteettisissa tallennusratkaisuissa. Ne tarjoavat suuren kapasiteetin ja edullisen kustannuksen, mutta niiden suorituskyky ja kesto riippuvat valitusta tekniikasta, ohjaimesta ja hallinnasta.