Inngangskapasitansen

Inngangskapasitansen, ofte betegnet Cin, er den ekvivalente kapasiteten som observeres ved inngangsterminen til en elektronisk enhet eller en kretssseksjon. Den tilsvarer hvor mye ladning som må tilføres for å endre inngangsspenningen med en viss hastighet, og påvirker inngangsimpedansen til enheten, spesielt ved høy frekvens.

Cin oppstår fra parasitiske kapasiteter i enheten, som base–emitter og base–collector i transistorbaserte innganger, eller gate–drain i MOS-kretser. I tillegg bidrar emballasje, ledninger og koblinger i kretsen. I høyhastighetsdesign kan Miller-effekten gjøre Cin betydelig større når det er tilbakemelding i forsterkeren.

Betydning: Cin påvirker høyfrekvent oppførsel og båndbredde. Når Cin møter kildeforbindelsen Rs, danner det et lav-pass-filter med en fallendefase som fastsettes av farten til signalet. En større Cin reduserer tilgjengelig forsterkning ved høye frekvenser og kan bidra til økt faseforskyvning og stabilitetsproblemer i tilbakemeldte kretser.

Måling og modell: Cin kan modelleres som en kapasitet parallell med inngangsresistansen. Den kan måles med småsignal-AC-sweep, ved bruk av LCR-måler eller gjennom simuleringer basert på datasheetparametere. I tidsdomene kan Cin påvirke inngangssignalens piks- og ladningsflyt.

Praktisk: For å bevare båndbredde og redusere lastetap, velger man gjerne kilder med lav Cin, eller bruker buffere og isolerende inngangsresistorer for å begrense den effektive belastningen på kildesignaler. I høyhastighetsdesign er kontroll av Cin kritisk, og Miller-effekten må tas med i beregningen ved utforming og kompensasjon.