IGBTbasert

IGBTbasert refererer til systemer, kretser eller moduler som bruker en Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) som hovedsvitsj. En IGBT kombinerer MOSFET-lik inngangsimpedans med bipolartransistors evne til å håndtere høye strømmer, noe som gir effektiv styring av høy spenning og strøm i effektapplikasjoner. Gjennom gate-signalet kontrolleres overgangen mellom av og på i IGBT-en, og krav til isolerte drivere er vanlig i slike kretser.

Typiske topologier omfatter enveiskontrollerte invertere, halvlederinvertere og tre-nivå-invertere, samt DC-DC og DC-AC-konvertere. IGBTbaserte løsninger finnes i industriell motorstyring, elektriske kjøretøydrivverk, fornybar energiinvertere (sol- og vindturbiner), strømforsyninger og UPS-systemer. I kraftnettet brukes IGBT-moduler for høyspenningskonvertering og i traction-applikasjoner som tog og trikk.

Fordeler ved IGBTbasert teknologi inkluderer evnen til å håndtere høye spenninger og strømmer i et relativt kompakt og kostnadseffektivt format, god pålitelighet og en moden leverandørindustri. Ulempene omfatter betydelige svitsings- og kjølebehov ved høy effekt, krav til sofistikerte gate-drivere og beskyttelsessystemer, og at effektmessige fordeler reduseres ved høy frekvens sammenlignet med enklere MOSFET-løsninger.

IGBTbasert teknologi fortsetter å være en hjørnestein i moderne kraftelektronikk, spesielt i høyspente, høystrøm applikasjoner, selv om utviklingen også omfatter alternative teknologier som avanserte MOSFET-er og nye materialbaserte svitsere.