kildeutgangsspenning

Kildeutgangsspenning betegner spenningen ved kildeutgangen i en transistorbasert kildefølger- eller common-drain-krets. Slike kretser brukes for å få en utgang som følger inngangsfulle med en liten eller ingen spenningsforsterkning. Begrepet gjelder primært for MOSFET- eller JFET-baserte løsninger, men tilsvarende effekt observeres også i BJT-baserte emitterfølgere.

I en kildefølger følger utgangen inngangen med et lite-offset som skyldes transistortåken i kildens spenningsgren. For en N-kanals MOSFET er utgangsspenningen omtrent lik inngangsspenningen minus V_GS (dette spenningsfallet varierer med strømmen og temperatur). For en BJT-emitterfølger tilsvarer offsetet V_BE. Den nøyaktige verdien av offsetet avhenger av enhetens karakteristikker, strømbias og temperatur.

Kildeutgangsspenning har viktige karakteristikker: lav utgangsimpedans og høy inngangsmotstand. Verken den eksakte spenningsforsterkningen, som gjerne er nær 1, eller det viktige forholdet mellom inngangs- og utgangsimpedans, gjør kildefølgeren ideell for å buffer mellom signal og last. AC-målt sett gir kildefølgeren ofte en gjennomsnittlig forsterkning nær 1, med evne til å levere relativt høy laststrøm.

Praktiske anvendelser omfatter impedans-matching, buffering av høy impedance-kilder og nivåforskyvning i analog signalbehandling. Begrensninger inkluderer tap av noe spenningsslipp (offset) og temperaturavhengighet i V_GS eller V_BE, som krever riktig bias og headroom for å unngå unøyaktigheter eller kutt av signalet.