kenttävaikutustransistoreihin

Kenttävaikutustransistorit, yleisesti tunnettuina FETeinä, ovat puolijohdekomponentteja, jotka ohjaavat sähkövirtaa sähkökentän avulla. Ne eroavat bipolaaritransistoreista siinä, että virran säätö tapahtuu jännitteen vaikutuksesta, ei virran. FETeissä on vähintään kolme liitäntää: hila (gate), nielu (drain) ja lähde (source). Hila on ohjaava elektrodi, ja sen ja kanavan välinen jännite luo sähkökentän, joka moduloi kanavan johtavuutta.

FETit voidaan jakaa kahteen päätyyppiin: MOSFETit (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) ja JFETit (Junction Field-Effect Transistors). MOSFETit ovat yleisimpiä ja niissä hila on eristetty puolijohdekanavasta ohuella oksidikerroksella. JFETeissä hila muodostaa PN-liitoksen kanavan kanssa. Molempia tyyppejä on edelleen alaluokkia, kuten N-tyypin ja P-tyypin FETit, jotka määrittelevät kanavan varauksenkuljettajien tyypin.

FETejä käytetään laajalti elektroniikkalaitteissa, kuten vahvistimissa, kytkimissä ja digitaalisissa piireissä. Niiden suuri tuloimpedanssi ja kyky toimia matalilla tehotasoilla tekevät niistä ihanteellisia moniin sovelluksiin. Erityisesti MOSFETit ovat keskeisiä nykyaikaisissa integroiduissa piireissä, kuten mikroprosessoreissa ja muisteissa, niiden korkean tiheyden ja energiatehokkuuden vuoksi.