Võimsussemikonduktoreid
Võimsussemikonduktorid on pooljuhtmaterjalidest valmistatud seadmed, mis on disainitud juhtima või lülitama kõrget elektrilist võimsust. Need erinevad tavalistest signaalitransistoridest ja dioodidest oma võime poolest taluda suuremaid pingeid ja voolusid ning dissipata rohkem soojust. Peamised võimsussemikonduktorite kategooriad hõlmavad võimsustransistoreid (nt MOSFET, IGBT), türistoreid ja võimsusdioode. Nende materjalide hulka kuuluvad traditsiooniliselt räni (Si), kuid üha enam kasutatakse ka laiemat energiariba pooljuhte nagu süsinikräni (SiC) ja galliumnitriid (GaN), mis pakuvad paremat jõudlust kõrgematel temperatuuridel ja sagedustel.
Võimsussemikonduktoreid kasutatakse laialdaselt erinevates rakendustes, kus on vaja tõhusalt hallata elektrilist energiat. Nende hulka kuuluvad toiteallikad,